ASM51

PESSOAL.
Estou com uma dúvida me incomodando um pouquinho, como nunca tinha usado IGBT espero que alguém possa me dar um herpe.

Seguinte quando eu estou fazendo uma fontinha chaveada eu escolho o mosfet da seguinte maneira.

Tensão primaria do trafo
Máxima corrente @ Ton maximo.

Vamos supor uma full range de 170VDC a 320VDC.

Porcamente chutando o balde.

Vout 12V.
Iout max 2A.

intão 24W, usando proporção de transformação 0.95 de eficiencia, a potencia dissipada pelo primário do trafo é de 24*1.05=25,2W

em 179VDC e 25,2W
I= 141mA

Em 320V e 25,2W
I= 78ma

"porcamente traduzindo pessoal"

Pois bem aí esta minha dúvida entre IGBT e MOSFET.!!

Mosfet indica RDSon e IGBT Vgon

no caso do IGBT que eu passei o modelo VGSon = 2.02V, ele diz que dissipa 165W@27°C e 65W@100°C.

PARA IGBT.
SE W=V²/R ou I*V
Vem que
Máxima potencia teorica sobre o IGBT= 0.171A * 2.02V de potencial =284mW ?

Onde eu estou comendo bronha ?

Fabim

Para a condição de on é isto mesmo, porem nas transições de off para on e de on para off é que o bicho pega. Vejamos no caso extremo ciclo de trabalho de 50% e tempo de chaveamento também de 50% (uma forma praticamente triangular ) teríamos para Vmax= 320V e I=0,171A uma potencia dissipada no IGBT ou MOSFET de +- 320/2*0,171 =>27W. Por este motivo cuidado com o ciclo de trabalho. Uma outra questão não seria VDSon=2,02V esta tensão só é relevante para aplicações em baixa tensão digamos Vdd < 20V ou em correntes elevadas proximas a nominal do transistor.

ELFS

blz. uff que susto.
Achei que essa moita de cabelo branco no tupete, eram os neurônios mortos que o meu organismo estava colocando pra fora.rsrs

Certim, saquei de boa, até porque o calculo de W sobre o maledito com a onda serra é facinho calcular.

Brigadão cara..

Abraços

Fabim