ASM51

Bom dia a todos,

Estou com uma duvida sobre tensão de Coletor/Emissor em cima de um transistor.

É o seguinte...Estou com um circuito que usa um transistor TIP122 com uma carga de 300R no emissor. No datasheet fala que ele suporta até 100V entre o coletor e o emissor. Para eu acionar essa carga eu tenho que ter 100V na base, ai a tensão de Coletor/emissor vai a zero.

Eu queria saber se essa tensão maxima de coletor/emissor é quando ele está aberto ou é quando ele está fechado !?!?

Se ele suporta 60W, eu posso colocar mais de 100V entre coletor/emissor com ele aberto ???...pois neste caso não tenho corrente passando por ele né !?!?

Muito obrigado a todos,

Denis.

Vou postar o circuito para que vcs entendam melhor.

http://www.4shared.com/file/138494691/c ... chado.html


http://www.4shared.com/file/138494632/a ... berto.html

Obrigado,

Denis.

Denis,

100V só ocorre qdo ele está aberto.

Vc não precisa ter 100V na base para acionar a carga, a mesnos que esteja pensando na configuração seguidor de emissor, o que pode não ser interessante; use emissor comum e com 0,7V já acionará a carga.

Outro lembrete sobre a questão do acinamento, é que este é um transistor bipolar, ou seja, um amplificador de corrente.

Abraços.

Olá brasilma,

preciso dessa configuração pois, em certos momentos, eu tenho que diminuir a tenção sobre a carga...então pensei em ter esse controle da tensão na base do transistor...estou certo ou errado !?!?

Muito grato pela resposta,

Denis.

Está certo Denis!!!

Então está tudo resolvido.

Uma ideia - caso não sejam muitas tensões que vc precisa - para fazer a seleção é usar uma sequencia de resistências em série (que fornecerá em cada nó uma das tensões que necessita) e chaveá-las através de um transistor auxiliar (menor corrente que o TIP) para a base dele.

VCC
|
Z
Z
| ----- T3 ------- TIP
Z
Z
|------ T2
Z
Z
|------ T1
Z
Z
|
GND

Abraços.

Ok Brasilma...muito boa sua idéia !!!

Eu tenho que ter 3 niveis de tensão e o zero (GND) !!!

A ultima dúvida...quando eu zerar a base (gnd) eu tiro toda a tensão da carga, e a tensão fica toda em cima do transistor...mas no datasheet do transistor fala que a tensão de coletor/emissor é de 100V, mas no meu caso a minha fonte é de 150...então eu tenho que trocar de transistor ???

Ou essa tensão de coletor/emissor que o datasheet informa é com ele fechado ???

Muito obrigado Brasilma,

Denis.

Com certeza deve trocar o transistor, na verdade o prudente é sempre trabalhar com uma folga.

denis neves escreveu: ... Se ele suporta 60W, eu posso colocar mais de 100V entre coletor/emissor com ele aberto ???...pois neste caso não tenho corrente passando por ele né !?!? ... Denis.

Vce máx diz respeito a Isolação
Ic máx a Intensidade da Corrente que a Junção ou sua ligação suporta
P máx é função da Temperatura do Semicondutor

O Transistor não é um elemento linear

Veja no Datasheet o grafico Tensão / Corrente / Potência
.

Humm...agora ficou claro!!!

Muito obrigado mesmo pessoal !!!

Vou trocar o transistor....depois eu posto os resultados !!!

Valeu,

Denis.

Olá Denis.
Tem várias coisas acontecendo. Vamos ver uma de cada vez:
1 - Os transistores suportam tensão máxima entre o coletor e o emissor em duas condições:
a) Quando a base está curtada com o emissor, ou quando há um resistor entre a base e o emissor. É a chamada VceR. Esta é a maior tensão que o transistor suporta. Mais que isso ele entra em avalanche. A junção base-coletor entra em zener. Aí o transistor deixa de funcionar como transistor e passa a funcionar como diodo zener. O problema é que podem ocorrer dois casos: Ou o transistor queima por excesso de corrente de coletor, ou ele queima por excesso de temperatua na junção base coletor. Note que no primeiro caso, a corrente cria um ponto quente e destroi o transistor, enquanto que no segundo caso, a temperatura vai aumentando até ficar maior que ele suporta, aí também ocorrerá a destruição do transistor.
b) Quando a base está aberta. Sem conexão. Esta é a tensão Vce0. Esta tensão é menor que VceR.
Em ambos os casos, não se deve deixar o transistor trabalhando com tensões próximas a estes dois valores. Quanto mais próximo, menor é o tempo de vida do transistor. Mesmo funcionando dentro das especificações. Imagine um atleta. Quanto mais tempo ele corre perto do seu limite, mais cedo ele se cansa.
2 - Outro fator, que deve ser levado em conta, é o aquecimento.
Se o transistor suporta até X watts, significa que você deve mater a temperatura da junção em 25ºC. Como isso é impossível, gerar calor de X watts ao mesmo tempo que manter a temperatura da junção em 25ºC, o que se faz é contemporizar. Aceitar uma condição intermediária. Por exemplo. No manual, tem a curva de potência com a temperatura. Você considera uma temperatura máxima de trabalho. Por exemplo 100ºC na junção. Aí a potência que você pode aplicar ao transistor é, digamos, 10 watts. Então como fazer? Como garantir que com 10 watts, a temperatura da junção não vai passar dos 100ºC desejados? Usando um dissipador. Quais deverão ser as características do dissipador. Tem um tópico que eu mostro como calcular o dissipador. Tem que procurar, porque já não sei mais qual é.
3 - Finalmente. Fazendo com que a carga fique com uma determinada tensão, significa que o restante da tensão da fonte ficará na junção emissor-coletor. Como vai passar uma corrente na carga, vai haver uma dissipação no transistor. Provavelmente esta dissipação vai ser proibitiva. Ache o tópico de que eu lhe falei, que lá você encontrará as respostas.
MOR_AL

Poxa pessoal não sei nem como agradecer vcs !!!

Eu estava pensando aqui a vi que é melhor atuar na carga por pwm...mas ainda assim quero colocar a carga no emissor do transistor para futuramente fazer algumas modificações.

Coloquei um BU508A para chavear a carga e um TIP127 para acionar o BU...mas ai eu caio naquele problema da Vec novamente no TIP.

O circuito é esse:

http://www.4shared.com/file/138542825/3df5c59a/pwm.html

Como o BU508A tem um ganho baixo eu tenho que ter um transistor com ganho maior pra chavear a base do BU, mas esse transistor (TIP127) tem uma Vce de -100V e sendo assim, de acordo com o que vocês me explicaram, ele irá queimar certo ???

Voceês poderiam me ajudar a resolver esse problema ???...pois não conheço transistores com um Vce mais alto.

Espero não estar pedindo muito,

Obrigado.

Use Mosfet Canal P

IRFY9240 HEXFET Power MOSFETs 200 V 9.4 A

Ou Mosfet Canal N

IRF640 200 V 18 A

por exemplo.

Muito mais eficiente que Transistor Bipolar
.

Tudo bem pessoal !?!?

Meu circuito funcionou do geito que eu queria...gostaria de agradecer, pois a ajuda de vocês foi de enorme importancia para o desenvolvimento do meu projeto !!!

Adequei os transistores, conforme vocês tinham me falado, e o circuito funcionou belezinha !!!

Estou a disposição no que puder ajudar,

Denis.

Só cuidado com o "Geito"

Como assim TCPIPCHIP..." Só cuidado com o Geito " ???

Não entendi o que vc quis dizer !?!?

Denis.